廣西大學團隊制備出芯片產業關鍵原材料7N高純鎵

(資料圖)

芯片產業是制約我國科技高速發展的瓶頸，除了研發技術以外，用于生產制作的原材料也是重要影響因素，高純金屬鎵就是鎵化物芯片必不可少的關鍵原材料，制備獲得超高純度、符合納米級別芯片使用的金屬鎵是解決我國高精尖科技“卡脖子”的核心技術之一，這也是廣西大學資源環境與材料學院研究生李柔遊一直致力攻克的難題。

保“鎵”衛國團隊負責人李柔遊進行高純鎵制備實驗。項目團隊供圖

2021年9月，作為研一新生的李柔遊加入導師的高純鎵制備技術研發項目，隨后與志同道合的小伙伴共同組建“保‘鎵’衛國”創新創業團隊，致力研究7N高純鎵創新制備技術及其相關產業化制備方案。

保“鎵”衛國團隊在進行鎵的定向島狀成核條件研究試驗。項目團隊供圖

該團隊依托廣西大學省部共建特色金屬材料與組合結構全壽命安全國家重點實驗室，在前期研究的基礎上，歷時實驗和經過數據積累，研發出核心技術“標準晶種制備工藝”“冷熱循環結晶技術”“高純鎵一體化提純設備”，分別針對性地解決了高純鎵生產中所面臨的產品純度低、生產周期長、工藝流程復雜三大痛點難題，制備出的高純鎵經國際權威機構檢測認證，純度均達到了7個9以上，處于國際領先水平，可廣泛適應于軍事、通訊、新能源產業等多領域。

保“鎵”衛國團隊在中國鋁業廣西分公司鎵車間實地調研。項目團隊供圖

該技術得到日本科學院藤田豐久院士的高度評價，制備的產品經過中國鋁業廣西分公司等企業的試用，獲得行業廣泛好評，目前“保‘鎵’衛國”團隊已與中國鋁業廣西分公司達成制備技術全面合作協議。

在為企業帶來經濟效益、帶動市場經濟發展的同時，該團隊積極投身中國式現代化建設，立志深研高純鎵提純先進技術，不斷填補國內技術空白，主動承擔以基礎性創新助力國家經濟發展的社會責任，為構建我國第三代半導體原材料安全新的鋼鐵長城貢獻青春力量。（王馨蔚 劉俊豪）

責任編輯：Rex_08