當(dāng)前，最新的芯片技術(shù)已經(jīng)接近原子尺度，采用先前的物理規(guī)律，很難進一步地縮小器件尺寸。面對尺寸效應(yīng)帶來的一系列問題，人們不得不從新材料和新物理中尋找突破口，以為下一代芯片做好準備。
想要在原子尺度研發(fā)芯片，就要從支撐芯片的材料開始，來探索新材料的物理性質(zhì)。
其中，憑借在薄至單原子層（亞納米）尺度之下仍能保持出色物理特性的優(yōu)勢，二維材料被視為下一代芯片的首選材料之一。而它真正地引起人們的廣泛關(guān)注，是在發(fā)現(xiàn)單層石墨烯的科學(xué)家被授予 2010 年諾貝爾物理獎之后。隨后十幾年間，學(xué)界相繼發(fā)現(xiàn)了其他二維材料，比如絕緣體、半導(dǎo)體、超導(dǎo)體和拓撲材料等。
(資料圖片僅供參考)
由于范德華力的作用，當(dāng)把不同的二維材料堆疊起來，就能形成一種異質(zhì)結(jié)構(gòu)---范德華（van der Waals）異質(zhì)結(jié)，這種異質(zhì)結(jié)也是一個研究新奇物理性質(zhì)和概念驗證的絕佳平臺。
圖| 芯片發(fā)展時間表（來源：Nature communications）
直到最近幾年，人們才發(fā)現(xiàn)相比傳統(tǒng)磁材料，二維絕緣體 Cr2Ge2Te6、半導(dǎo)體（CrX3）和金屬 FexGeTe2（x=3-5）等二維磁性材料具有很多優(yōu)勢。
比如，只需一個原子層就能形成鐵磁性，雙原子層卻能構(gòu)成反鐵磁材料的 CrX3。而傳統(tǒng)金屬磁性材料由于其電屏蔽效應(yīng)過強，導(dǎo)致很難實現(xiàn)柵極調(diào)控。
對于不少二維磁性材料來說，通過柵極調(diào)控不僅可以實現(xiàn)磁性的調(diào)控，還可以實現(xiàn)居里溫度的巨大改變。該類材料還能帶來近鄰效應(yīng)、轉(zhuǎn)角堆疊等功能，故能提供較多的操控方式。
具體到應(yīng)用場景上，二維金屬磁性材料可被用作磁性隧道結(jié)、斯格明子和自旋軌道扭矩存儲器器件，也能搭載在超快自旋電子學(xué)技術(shù)之中。
然而，目前大多數(shù)二維磁性材料的居里溫度很低，一些器件的電子操作必須在低溫下進行，這無疑給二維磁性材料的實際應(yīng)用帶來了巨大的障礙。
基于此，瑞典查爾姆斯理工大學(xué)博士后趙兵和所在團隊開展了一項研究。期間，他們首次實現(xiàn)了室溫下范德華異質(zhì)結(jié)的自旋注入、輸運和探測等動力學(xué)過程，并提出一種二維材料磁性或自旋紋理的全新探測方法，為自旋電子學(xué)領(lǐng)域帶來了一項重要成果。
其有望加速基于二維磁性材料的實際應(yīng)用,比如基于自旋的存儲器、邏輯和神經(jīng)形態(tài)計算體系結(jié)構(gòu)的重要基本單元等。
圖 | 趙兵（來源：趙兵）
日前，相關(guān)論文以《一種具有范德瓦爾斯鐵磁體 Fe5GeTe2/ 石墨烯異質(zhì)結(jié)構(gòu)的室溫自旋閥》（A Room-Temperature Spin-Valve with van der Waals Ferromagnet Fe5GeTe2/Graphene Heterostructure）為題發(fā)表在 Advanced Materials 上[1]。
圖 | 相關(guān)論文（來源：Advanced Materials）
趙兵是第一作者，瑞典烏普薩拉大學(xué)比普拉布·薩業(yè)歐（Biplab Sanyal）教授和瑞典查爾姆斯理工大學(xué)薩羅伊 P.達什（Saroj P. Dash）教授擔(dān)任共同通訊作者。
研究中，考慮到金屬 FexGeTe2 會隨著 Fe 原子的富集濃度增加，其居里溫度也會進一步提高。因此，該課題組攜手合作者，合成了居里溫度高達室溫的 Fe5GeTe2。
進一步地，他們制作了 Fe5GeTe2/ 石墨烯異質(zhì)結(jié)、以及橫向自旋閥器件。室溫之下的輸運測試證明，在一系列自旋閥操作中，該類器件具備較好的魯棒性，這為探測二維材料中磁性和多方向自旋極化提供了新思路。
同時，趙兵的合作者使用密度泛函理論，對 Fe5GeTe2/ 石墨烯異質(zhì)結(jié)構(gòu)的磁性加以研究，讓實驗結(jié)果得到了很好的支持。
（來源：Advanced Materials）
目前，基于對該類二維磁性材料的理解，課題組已經(jīng)協(xié)同合作者，通過摻雜 Fe5GeTe2 得到一系列的二維磁性材料，在材料性質(zhì)上涵蓋面內(nèi)磁各向異性和垂直磁各向異性，在材料類型上則涵蓋鐵磁和反鐵磁等，物理背景比較豐富。基于這些材料，該團隊也將開展更深入的研究。
參考資料：
1.Zhao, B., Ngaloy, R., Ghosh, S., Ershadrad, S., Gupta, R., Ali, K., ... & Dash, S. P. (2023). Room Temperature Spin‐Valve with van der Waals Ferromagnet Fe5GeTe2/Graphene Heterostructure. Advanced Materials, 2209113.
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