矽源特CST8002D特性:
【資料圖】
VDD=5V,RL=3Ω,Po=3W,THD+N≤10%
寬工作電壓范圍1.8V—5.5V
優異的上掉電POP聲抑制
無需輸出耦合電容、自舉電容和緩沖網絡
單位增益穩定
矽源特CST8002D采用SOP8封裝
矽源特CST8002D封裝尺寸:
SOP8:
矽源特CST8002D封裝尺寸:SOP8:
矽源特CST8002D引腳分布圖:
矽源特CST8002D引腳分布圖:
矽源特CST8002D典型應用電路:
矽源特CST8002D原理框圖:
責任編輯:Rex_08