Intel四大先進封裝技術(shù)：既能蓋“四合院” 也能建“摩天樓”

隨著半導(dǎo)體制程工藝提升越來越困難，先進封裝技術(shù)的重要性則愈發(fā)凸顯，成為延續(xù)摩爾定律的關(guān)鍵。

(資料圖片僅供參考)

Intel就一直在深入研究各種先進封裝技術(shù)，部分已經(jīng)得到廣泛應(yīng)用，比如EMIB、Foveros，部分已經(jīng)準(zhǔn)備就緒，比如Foveros Omni、Foveros Direct。

此前，我們也曾經(jīng)對這些先進封裝技術(shù)進行過深入解讀。

現(xiàn)在，Intel通過形象的動圖，詮釋了幾種封裝技術(shù)的原理和特點。

其實，處理器雖然封裝最開始的作用只是防水、防塵和散熱，但隨著制程技術(shù)逐漸逼近物理極限，為了滿足越來越高、越來越復(fù)雜的算力需求，同時提高能效比，追求可持續(xù)發(fā)展，先進封裝正變得越來越關(guān)鍵。

Intel的先進封裝技術(shù)，一方面能夠提升芯片互連密度，在單個封裝中集成更多功能單元，目標(biāo)是到2030年在單個設(shè)備內(nèi)集成1萬億個晶體管。

另一方面，它們可以滿足Intel自家產(chǎn)品、代工客戶產(chǎn)品的異構(gòu)集成需求，讓不同供應(yīng)商、不同工藝打造的芯粒（Chiplet）更好地協(xié)同工作，提高靈活性和性能，降低成本和功耗。

一、EMIB

意思是“嵌入式多芯片互連橋接”，原理就像蓋四合院，把不同的芯片放在同一塊平面上相互連接。

傳統(tǒng)的2.5D封裝是在芯片和基板間的硅中介層上進行布線，EMIB則是通過一個嵌入基板內(nèi)部的單獨的芯片完成互連，可將芯片互連的凸點間距縮小到45微米，改善設(shè)計的簡易性，并降低成本。

二、Foveros

3D封裝技術(shù)，原理上也不復(fù)雜，就是在垂直層面上，一層一層地堆疊獨立的模塊，類似建摩天大樓一樣。

就像大廈需要貫通的管道用于供電供水，F(xiàn)overos通過復(fù)雜的TSV硅穿孔技術(shù)，實現(xiàn)垂直層面的互連。

Foveros最早用于Lakefiled處理器，目前正在和EMIB聯(lián)手用于各類產(chǎn)品，最典型的就是Ponte Vecchio GPU加速器，使用了5種不同工藝、47個不同芯粒。

三、Foveros Omni

下一代封裝技術(shù)，可實現(xiàn)垂直層面上大芯片、小芯片組合的互連，并將凸點間距繼續(xù)縮小到25微米。

四、Foveros Direct

使用銅與銅的混合鍵合，取代會影響數(shù)據(jù)傳輸速度的焊接，把凸點間距繼續(xù)縮小到10微米以下，從而大幅提高芯片互連密度和帶寬，并降低電阻。

Foveros Direct還實現(xiàn)了功能單元的分區(qū)，使得模塊化設(shè)計配置靈活、可定制。

2021年底，Intel還展示了最新的混合鍵合(hybrid bonding)，將互連間距繼續(xù)微縮到驚人的3微米，實現(xiàn)了準(zhǔn)單片式的芯片。

也就是說，整合封裝后的互聯(lián)密度、帶寬都非常接近傳統(tǒng)的單片式芯片，不同芯粒之間連接更加緊密。

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