2023-05-09 05:24:04 作者：老王
(資料圖片)
現(xiàn)在如果配新電腦，內(nèi)存是16GB為主。可十年前的電腦，也是16GB，似乎這些年內(nèi)存出了技術(shù)從DDR3變成了DDR5，容量上變化不大。但這一趨勢在下個十年可能被打破。
3D內(nèi)存的野心
總部位于圣何塞的NEO半導體公司已經(jīng)推出了3D X-DRAM。這項獲得專利的DRAM技術(shù)有一個雄心勃勃的目標，即 "解決DRAM的容量瓶頸并取代整個2D DRAM市場"。根據(jù)公司的路線圖，在DRAM中應用類似NAND的3D DRAM單元陣列將在2030年之前提供1Tb的內(nèi)存IC。
1Tb集成電路將意味著有可能相對容易地在單個DIMM上安裝2TB--每側(cè)有8個芯片的雙面DIMM將達到這一目標。使用32個IC的4TB也是可能的。顯然，在未來十年內(nèi)，這更多的是用于服務器，而不是消費者可能需要的任何東西，許多人仍然用8GB或16GB來應付。請注意，目前的內(nèi)存解決方案在注冊的DDR4服務器解決方案中，每個DIMM的最高容量為128GB，使用32個32Gb的IC。現(xiàn)成的DDR5注冊DIMMs目前提供高達64GB（32個16Gb ICs），盡管更高容量的模塊即將問世。
同樣，那是針對DRAM的，而不是某種閃存NAND。但是NEO半導體公司已經(jīng)開發(fā)了3D X-DRAM技術(shù)，至少從3D NAND得到了一些啟發(fā)。它使用了據(jù)稱是 "世界上第一個類似于3D NAND的DRAM單元陣列 "來提高其容量。不過，這其中有一些關(guān)鍵的區(qū)別，而且NEO已經(jīng)申請了各種專利來保護其知識產(chǎn)權(quán)。
NEO半導體公司在其新聞稿中提供了其新的3D X-DRAM的工作原理的一瞥。新的存儲器集成電路將使用類似于3D NAND的DRAM單元陣列，但我們也知道該結(jié)構(gòu)是基于無電容的浮動體單元技術(shù)。該公司聲稱，這種變化 "簡化了工藝步驟，提供了一個高速、高密度、低成本和高產(chǎn)量的解決方案"。
有助于成功機會的一個重要方面是，3D X-DRAM可以使用當代半導體制造技術(shù)來制造。此外，該公司估計，"3D X-DRAM技術(shù)可以用230層實現(xiàn)128Gb的密度，是今天DRAM密度的8倍"。
傳統(tǒng)路線一樣高容量？
對于NEO半導體公司的密度聲稱，三星公司目前最高密度的DDR5 DRAM IC的容量為16Gb。三星是NAND和DRAM領(lǐng)域的重要參與者，預計很快就會推出32Gb的IC。結(jié)合芯片堆疊，這應該能在2023年底/2024年初實現(xiàn)1TB內(nèi)存模塊。這比NEO的2030年推出的時間框架早得多，而芯片堆疊的DRAM可能會更高。
單根512GB的DDR5內(nèi)存
在AI出現(xiàn)之前，我們現(xiàn)在的電腦可能除了做視頻、圖像處理之外，沒有什么應用特別吃系統(tǒng)性能。但AI來了改變了一切。32G內(nèi)存可能也不夠用，復合模型64G內(nèi)存起步。12G顯存跑Stable Diffusion只是不炸顯存的開始。運行起來CPU、顯卡一起滿載讓整個電腦嗷嗷風扇聲，仿佛在跑雙烤。但折騰AI的樂趣是無窮的，內(nèi)存多大、CPU顯卡多快都能能用到100%，但玩不轉(zhuǎn)AI，顯然要在很近的未來被淘汰。
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現(xiàn)在很多人還沒意識到自己電腦跑AI的樂趣，這兩天上一個教程，教大家如何成為AI歌神，你就會發(fā)現(xiàn)跑AI樂趣無窮，單機TB級內(nèi)存的時代快點到來吧！
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