趕超SK海力士！三星將明年量產超300層第9代V-NAND閃存芯片【附存儲芯片行業分析】

圖片來源：攝圖網

近日，據報道，三星電子計劃明年生產第9代V-NAND閃存，將沿用雙層堆棧架構，超過300層。報道稱，這將使三星的進度超過SK海力士——后者計劃2025年上半年量產三層堆棧架構的321層NAND閃存。早在2020年，三星就已首次引入雙層堆棧架構，生產第7代V-NAND閃存芯片。

(資料圖)

存儲芯片是信息技術領域的核心組成部分，隨著數據量的爆炸式增長和應用需求的不斷提升，存儲芯片的發展正經歷著快速的變革和創新。隨著技術的進步，存儲芯片的容量從最初的幾兆字節發展到目前的幾十TB，甚至更高。作為全球最大的存儲芯片制造商之一，三星通過不斷的研發和創新，不僅在容量和性能方面取得了突破，還在市場份額和技術領先地位上保持著優勢。通過3D NAND技術的引入，三星的閃存芯片容量不斷擴大，達到了TB級別。這使得用戶能夠存儲更多的數據，滿足了大數據時代的需求。

——種類較多，市場各成體系

存儲芯片，又稱半導體存儲器，是以半導體電路作為存儲媒介的存儲器，用于保存二進制數據的記憶設備，是現代數字系統的重要組成部分。存儲芯片按按照斷電后數據是否丟失，可分為易失性存儲芯片和非易失性存儲芯片。易失性存儲芯片常見的有DRAM和SRAM。非易失性存儲芯片常見的是NAND閃存芯片和NOR閃存芯片。

——全球存儲芯片現狀分析

存儲芯片是半導體產業的重要分支，約占全球半導體市場的四分之一至三分之一。根據世界半導體貿易統計(WSTS)數據顯示，2019年全球半導體市場規模為4123.07億美元，其中存儲芯片市場規模為1064億美元，占半導體行業銷售額的25.8%。

2020年12月1日，WSTS發布了最新半導體市場預測，預計2020年全球半導體市場規模在4331億美元左右。其中除了光電和分立器件，增長最大的是存儲芯片，2020全年市場規模約為1194億美元。

——中國存儲芯片現狀分析

在“互聯網+”的背景下，智能手機功能逐漸多樣化，覆蓋眾多應用領域，促使市場對智能手機的存儲空間要求不斷提高以滿足消費者對移動互聯網的使用體驗。2016年后，中國智能手機等消費電子應用市場迅速擴張促進了存儲芯片市場需求快速釋放。

2014-2019年，中國存儲芯片市場規模由1274億元增長至2697億元，年均復合增長率達到16.18%，前瞻初步估算，2020年中國存儲芯片市場規模突破3000億元。

——企業競爭格局：市場由國外企業壟斷，國內廠商奮力追趕

目前，DRAM芯片的市場格局是由三星、SK海力士和美光統治，三大巨頭市場占有率合計已超過95%，而三星一家公司市占率就已經逼近50%。寡頭壟斷的格局使得中國企業對DRAM芯片議價能力很低，也使得DRAM芯片成為我國受外部制約最嚴重的基礎產品之一。

2020年，DRAM企業格局總體變化不大，頭部企業份額小幅被擠壓，CR5由2018年Q1的99%下降至2020年Q4的98.4%，仍為高度集中市場。

業界認為三星在推出第9代3D NAND之后，將有望在第10代430層的3DNAND中采取三層堆棧架構。該報援引業內人士稱，若3D NAND層數超過400，原材料用量和晶圓成本也會水漲船高，同時也會保證產量。

三星計劃在2030年實現3D NAND閃存的1000層堆疊。據說未來的三星第10代V-NAND閃存將具備430層堆疊，并首次采用三堆棧的方法來實現。

前瞻經濟學人APP資訊組

更多本行業研究分析詳見前瞻產業研究院《》。

同時前瞻產業研究院還提供、、、、、、、、、咨詢等解決方案。在招股說明書、公司年度報告等任何公開信息披露中引用本篇文章內容，需要獲取前瞻產業研究院的正規授權。

更多深度行業分析盡在【前瞻經濟學人APP】，還可以與500+經濟學家/資深行業研究員交流互動。

責任編輯：Rex_18