圖片來源：攝圖網(wǎng)
近日，據(jù)報道，三星電子計劃明年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存，將沿用雙層堆棧架構，超過300層。報道稱，這將使三星的進度超過SK海力士——后者計劃2025年上半年量產(chǎn)三層堆棧架構的321層NAND閃存。早在2020年，三星就已首次引入雙層堆棧架構，生產(chǎn)第7代V-NAND閃存芯片。
(資料圖)
存儲芯片是信息技術領域的核心組成部分，隨著數(shù)據(jù)量的爆炸式增長和應用需求的不斷提升，存儲芯片的發(fā)展正經(jīng)歷著快速的變革和創(chuàng)新。隨著技術的進步，存儲芯片的容量從最初的幾兆字節(jié)發(fā)展到目前的幾十TB，甚至更高。作為全球最大的存儲芯片制造商之一，三星通過不斷的研發(fā)和創(chuàng)新，不僅在容量和性能方面取得了突破，還在市場份額和技術領先地位上保持著優(yōu)勢。通過3D NAND技術的引入，三星的閃存芯片容量不斷擴大，達到了TB級別。這使得用戶能夠存儲更多的數(shù)據(jù)，滿足了大數(shù)據(jù)時代的需求。
——種類較多，市場各成體系
存儲芯片，又稱半導體存儲器，是以半導體電路作為存儲媒介的存儲器，用于保存二進制數(shù)據(jù)的記憶設備，是現(xiàn)代數(shù)字系統(tǒng)的重要組成部分。存儲芯片按按照斷電后數(shù)據(jù)是否丟失，可分為易失性存儲芯片和非易失性存儲芯片。易失性存儲芯片常見的有DRAM和SRAM。非易失性存儲芯片常見的是NAND閃存芯片和NOR閃存芯片。
——全球存儲芯片現(xiàn)狀分析
存儲芯片是半導體產(chǎn)業(yè)的重要分支，約占全球半導體市場的四分之一至三分之一。根據(jù)世界半導體貿(mào)易統(tǒng)計(WSTS)數(shù)據(jù)顯示，2019年全球半導體市場規(guī)模為4123.07億美元，其中存儲芯片市場規(guī)模為1064億美元，占半導體行業(yè)銷售額的25.8%。
2020年12月1日，WSTS發(fā)布了最新半導體市場預測，預計2020年全球半導體市場規(guī)模在4331億美元左右。其中除了光電和分立器件，增長最大的是存儲芯片，2020全年市場規(guī)模約為1194億美元。
——中國存儲芯片現(xiàn)狀分析
在“互聯(lián)網(wǎng)+”的背景下，智能手機功能逐漸多樣化，覆蓋眾多應用領域，促使市場對智能手機的存儲空間要求不斷提高以滿足消費者對移動互聯(lián)網(wǎng)的使用體驗。2016年后，中國智能手機等消費電子應用市場迅速擴張促進了存儲芯片市場需求快速釋放。
2014-2019年，中國存儲芯片市場規(guī)模由1274億元增長至2697億元，年均復合增長率達到16.18%，前瞻初步估算，2020年中國存儲芯片市場規(guī)模突破3000億元。
——企業(yè)競爭格局：市場由國外企業(yè)壟斷，國內(nèi)廠商奮力追趕
目前，DRAM芯片的市場格局是由三星、SK海力士和美光統(tǒng)治，三大巨頭市場占有率合計已超過95%，而三星一家公司市占率就已經(jīng)逼近50%。寡頭壟斷的格局使得中國企業(yè)對DRAM芯片議價能力很低，也使得DRAM芯片成為我國受外部制約最嚴重的基礎產(chǎn)品之一。
2020年，DRAM企業(yè)格局總體變化不大，頭部企業(yè)份額小幅被擠壓，CR5由2018年Q1的99%下降至2020年Q4的98.4%，仍為高度集中市場。
業(yè)界認為三星在推出第9代3D NAND之后，將有望在第10代430層的3DNAND中采取三層堆棧架構。該報援引業(yè)內(nèi)人士稱，若3D NAND層數(shù)超過400，原材料用量和晶圓成本也會水漲船高，同時也會保證產(chǎn)量。
三星計劃在2030年實現(xiàn)3D NAND閃存的1000層堆疊。據(jù)說未來的三星第10代V-NAND閃存將具備430層堆疊，并首次采用三堆棧的方法來實現(xiàn)。
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