最資訊丨類 3D NAND 設(shè)計(jì)，Neo 半導(dǎo)體推出 3D X-DRAM：8 倍密度、230 層

(資料圖)

IT之家 5 月 10 日消息，總部位于美國(guó)的 3D NAND 閃存廠商 Neo Semiconductor 近日推出了 3D X-DRAM 存儲(chǔ)芯片，聲稱是全球首個(gè)采用類似于3D NAND 的 DRAM，其容量明顯超過(guò)當(dāng)前的 2D DRAM 解決方案。

3D X-DRAM 存儲(chǔ)的首個(gè)版本實(shí)現(xiàn)了 128 Gb，每個(gè)芯片 230 層，密度比目前的 2D DRAM 芯片高 8 倍。

Neo Semiconductor 認(rèn)為，與其他 3D DRAM 替代方案相比，該解決方案可以更輕松地?cái)U(kuò)展，并且實(shí)施成本更低，使其成為在不久的將來(lái)取代 2D DRAM 的可靠候選者。

3D X-DRAM 技術(shù)的核心在于創(chuàng)新使用了浮動(dòng)體單元 （FBC），利用當(dāng)今成熟的 3D NAND 工藝，只需要一個(gè)掩模（mask）即可定義位線孔并在孔內(nèi)形成單元結(jié)構(gòu)。這種方法可以大大簡(jiǎn)化 2D DRAM 的生產(chǎn)、實(shí)施和過(guò)渡。

根據(jù) Neo Semiconductor 的估計(jì)，到 2025 年，存儲(chǔ)容量可能會(huì)翻一番，達(dá)到 256 Gb，而十年內(nèi)可以提供 1 Tb 容量。更多信息將在 2023 年 8 月 9 日的閃存峰會(huì)上發(fā)布。

IT之家在此附上 3D X-DRAM 的官方介紹鏈接，感興趣的用戶可以點(diǎn)擊閱讀。

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