三星十代V-NAND 直接430層

(相關(guān)資料圖)

2023-01-19 05:36:22 作者：老王

據(jù)韓媒 The Elec 消息，三星將加速 3D NAND 堆疊進(jìn)程，正在討論將預(yù)計(jì) 2025-2026 年量產(chǎn)的第十代 V-NAND 的堆疊層數(shù)跳至 430 層級。

三星此前宣布到 2030 年開發(fā)出 1000 層 V-NAND 閃存，同時，下一代 V-NAND 路線圖的輪廓也逐漸浮出水面。

據(jù)報(bào)道，三星計(jì)劃 2024 年量產(chǎn)的第九代 V-NAND 將在 280 層 3D NAND范圍內(nèi)。對于定于 2025-2026 年量產(chǎn)的第十代 V-NAND，三星正在討論跳過 300 層直接進(jìn)入 430 層。

2013 年出現(xiàn)的第一代 V-NAND 是 24 層。此后又推出了第二代 32 層、第三代 48 層、第四代64 層、第五代 92 層、第六代 128 層、第七代 176 層。每一代都經(jīng)歷了大約 1 年到 1 年零 6 個月的量產(chǎn)。

三星于 2022 年 11 月宣布量產(chǎn)了第八代 V-NAND，其堆疊層數(shù)為 236 層。據(jù)介紹，第八代 V-NAND 可提供 1Tb (128GB) 的方案，三星電子沒有公開 IC 的大小和實(shí)際密度，不過他們稱之為業(yè)界最高的比特密度。

責(zé)任編輯：Rex_19